Καλώς ήλθατε στο Components-House.com
Ηλεκτρονικές Προμήθειες / Παραγγελία

Επιλέξτε γλώσσα

Τρέχουσα γλώσσα: Ελλάδα
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies

BSB012N03LX3 G

Αριθμός μέρους κατασκευαστή BSB012N03LX3 G
Κατασκευαστής Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON
Πακέτο MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σε απόθεμα 4234 pcs
Φύλλο δεδομένων Part Number GuideMultiple Devices 06/Oct/2014Multiple Devices 12/May/2009BSB012N03LX3 G
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
Ωρα παράδοσης Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Infineon Technologies.Έχουμε τα 4234 κομμάτια του Infineon Technologies BSB012N03LX3 G σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
Ζητήστε προσφορά Υποβολή α Αίτηση για προσφορά σε ποσότητες μεγαλύτερες από αυτές
εκτεθειμένος.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Τεχνολογία MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή MG-WDSON-2, CanPAK M™
Σειρά OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Συσκευασία / υπόθεση 3-WDSON
Πακέτο Tape & Reel (TR)
Χαρακτηριστικό προϊόντος Τιμή χαρακτηριστικού
Θερμοκρασία λειτουργίας -40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds 16900 pF @ 15 V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs 169 nC @ 10 V
FET Τύπος N-Channel
FET Χαρακτηριστικό -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss) 30 V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C 39A (Ta), 180A (Tc)

Συνιστώμενα προϊόντα

BSB012N03LX3 G Φύλλο δεδομένων PDF

Φύλλο δεδομένων